今日,三星電子宣布已開始量產512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存,可用于手機、平板等。相較上一代eUFS 3.0(512GB)閃存產品,新款的寫速提升了200%,達到了驚人的1200MB/s,比用于PC的傳統SATA3 SSD(540MB/s)和UHS-I microSD存儲卡(90MB/s),可謂巨大的升級,可消除8K、5G時代下的存儲瓶頸。

  資料圖(來自:Samsung)

  其它性能參數還包括,連續讀取速度可達2100MB/s,隨機讀取速度就100K IOPS,隨機寫入速度70K IOPS。當然,這批新的eUFS 3.1閃存還有128GB和256GB容量。

  另外,三星還透露,其位于中國西安市的X2線則已于本月開始生產第五代V-NAND(9x層),韓國平澤市的P1線將很快轉向第六代V-NAND閃存(1xx層)芯片的量產,以滿足日益增長的市場需求。

  此前,西部數據、鎧俠(原東芝存儲)也介紹了UFS 3.1閃存產品,但都是出樣,沒有達到量產程度。